Tesis doctoral de Caturla Terol M. Jose
El objetivo fundamental de esta tesis es el estudio teorico, a nivel microscopico, del daño producido en un semiconductor debido a la irradiacion con iones de baja energia. Se ha estudiado la amorfizacion del silicio debida al bombardeo ionico, asi como la recristalizacion del daño producido, utilizando tecnicas de simulacion por ordenador como dinamica molecular y metodos monte carlo. la principal aplicacion de estos estudios esta en la tecnología de dopado de semiconductores. En este trabajo demostramos la diferente morfología del daño producido por iones ligeros y pesados al irradiar silicio. Iones pesados producen zonas amorfas en la red, mientras que iones ligeros forman pequeños grupos de defectos. Hemos estudiado el proceso de recristalizacion de las zonas amorfas y derivado consecuencias para la amorfizacion completa del material. Tambien simulamos la recristalizacion de una interfase plana amorfocristal inducida por iones de baja energia. Para poder estudiar fenomenos que suceden a tiempos largos, del orden del segundo o minutos, hemos acoplado dos metodos de simulacion: dinamica molecular y simulacion de difusion de defectos por monte carlo.
Datos académicos de la tesis doctoral «Implantacion ionica en silicio: simulacion de procesos de amorfizacion y recristalizacion.«
- Título de la tesis: Implantacion ionica en silicio: simulacion de procesos de amorfizacion y recristalizacion.
- Autor: Caturla Terol M. Jose
- Universidad: Universitat de valéncia (estudi general)
- Fecha de lectura de la tesis: 01/01/1996
Dirección y tribunal
- Director de la tesis
- Diaz De La Rubia Tomas
- Tribunal
- Presidente del tribunal: Alberto Gras Marti
- Rubio Garcia José Emiliano (vocal)
- Manuel Perlado Martín (vocal)
- Isabel Abril Sanchez (vocal)