Influencia de la concentracion de centros profundos en las propiedades electricas de uniones p-n no abruptas. aplicacion al sistema si:pt

Tesis doctoral de Jimenez Tejada Juan Antonio

Se han estudiado uniones graduales impurificadas con platino (difundido en un rango de temperatura 860 grados c-920 grados c). La espectroscopia de transitorios de niveles profundos, dlts, junto con un estudio teorico han permitido determinar el efecto de elegir un modelo apropiado para una estructura p-n y comprobar el efecto de altas concentraciones de centros profundos en este tipo de uniones. Bajo ciertas condiciones el modelo de union abrupta no permite explicar resultados procedentes de medidas capacitivas asi como puede resultar incorrecta la interpretacion normal de asociar cada maximo de dlts con un nivel de energia. Sin embargo, el modelo de una union gradual con dos niveles profundos, como en el caso del platino, si interpreta todos los resultados. ademas, toda la caracterizacion experimental y numerica sobre el platino en el silicio realizada a lo largo de este trabajo, nos indica que el platino en el silicio crea un centro tripolar.

 

Datos académicos de la tesis doctoral «Influencia de la concentracion de centros profundos en las propiedades electricas de uniones p-n no abruptas. aplicacion al sistema si:pt«

  • Título de la tesis:  Influencia de la concentracion de centros profundos en las propiedades electricas de uniones p-n no abruptas. aplicacion al sistema si:pt
  • Autor:  Jimenez Tejada Juan Antonio
  • Universidad:  Granada
  • Fecha de lectura de la tesis:  01/01/1992

 

Dirección y tribunal

  • Director de la tesis
    • Carceller Beltran Juan Enrique
  • Tribunal
    • Presidente del tribunal: Pedro Cartujo Estébanez
    • Luis Bailon Vega (vocal)
    • Juan Barbolla Sanchez (vocal)
    • Daniel Pardo Collantes (vocal)

 

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