Tesis doctoral de Joaquin Puigdollers Gonzalez
El objetivo del trabajo ha consistido en la obtencion de fotodiodos de silicio amorfo hidrogenado con estructura p-i-n, a partir del deposito quimico en fase vapor asistido por plasma. El trabajo puede dividirse en dos partes: a) optimizacion de los parametros tecnologicos de obtencion de las capas dopadas tipo p (obtenidas a partir de la utilizacion de diborano y/o trimetilboro) y tipo n (a partir de fosfina). b) obtencion de los fotodiodos, utilizando capas dopadas optimizadas. Los resultados pueden resumirse en: -se han obtenido fotodiodos con muy buen caracter rectificador, con corrientes en inverso (v=-2v) inferiores a 10-10 a/cm2, con buena respuesta espectral y muy buena linealidad entre la intensidad fotogenerada y la irradiacion. Estos resultados se encuentran entre los mejores reportados, y permitirian la construccion de sensores de imagen con muy buenas prestaciones.
Datos académicos de la tesis doctoral «Obtencio de fotodiodes de silici amorf hidrogenat amb estructura p-i-n.«
- Título de la tesis: Obtencio de fotodiodes de silici amorf hidrogenat amb estructura p-i-n.
- Autor: Joaquin Puigdollers Gonzalez
- Universidad: Barcelona
- Fecha de lectura de la tesis: 01/01/1996
Dirección y tribunal
- Director de la tesis
- Jordi Andreu Batallé
- Tribunal
- Presidente del tribunal: Francisco Serra Mestres
- Pere Roca I Cabarrocas (vocal)
- Rodrigo Martins (vocal)
- Josep Calderer Cardona (vocal)