Tesis doctoral de Jose Ortega Mateo
En este trabajo se ha analizado teoricamente la formacion de la barrera schottky en las interfases ideales metal alcalino-asga (110). Este analisis ha sido posible gracias al desarrollo de un metodo teorico de primeros principios que permite calcular las propiedades electronicas y estructurales de las diferentes interfases. en particular, se han estudiado las energias de quimisorcion, la densidad local de estados y el nivel de fermi para las interfases entre li, na y k con asga (110) para los recubrimientos de o=1, o=1/2 y o 1. Ademas, se han analizado los efectos de correlacion en la banda de superficie inducida por los atomos alcalinos en el gap del semiconductor. Los resultados obtenidos se comparan con la informacion experimental disponible.
Datos académicos de la tesis doctoral «Quimisorcion y la formacion de la barrera schottky«
- Título de la tesis: Quimisorcion y la formacion de la barrera schottky
- Autor: Jose Ortega Mateo
- Universidad: Autónoma de Madrid
- Fecha de lectura de la tesis: 01/01/1991
Dirección y tribunal
- Director de la tesis
- Fernando Flores Sintas
- Tribunal
- Presidente del tribunal: Rodolfo Miranda Soriano
- Alfonso Muñoz Gonzalez (vocal)
- Sacedon Adelantado José Luis (vocal)
- Seijo Loche Luis Ignacio (vocal)