Tesis doctoral de Estefania Redondo Romero
El objetivo de este trabajo ha sido la optimizacion tanto de la intercara aislante-semiconductor, como de los pasos tecnologicos necesarios para fabricar un transistor de efecto de campo de buena calidad, con estructura de puerta al/sinx:h/inp. En el primer caso, esta optimizacion se ha realizado mediante diversos procesos que afectaban al aislante (sinx:h) como a la estructura de puerta (mis) en su conjunto. Para optimizar el aislante se ha variado su composicion(x) y su espesor. Los menores valores de estados en la intercara (dit 3.10 12 ev-1 cm-2) se han observado en la composición más rica en n (x=1.55), mientras que las mejores propiedades electricas del aislante se obtienen para composiciones proximas a la estequiometria (x_>1.33). El espesor optimo se obtiene para peliculas de 500a. Para optimizar aun mas estos resultados se han buscado procesos a los que someter la estructura mis, como son: procesos de recocido termico rapido(rta) tras el deposito del aislante o limpiezas con plasmas de n2 previas a dicho deposito. Ambos procesos logran una pasivación de la superficie del inp, reduciendo las densidades de estado en la intercara (dit 1.10 12 ev-1 cm-2), sin dañar las propiedades dieléctricas del aislante. Como ultima posibilidad de mejora de la estructuras mis se propone la utilizacion de aislantes compuestos, bien por dos capas de nitruro bien por una combinaciónd e nitruros-oxinitruros, combinandola con procesos rta. En este caso, se buscan combinaciones de composiciones que mejoren simultaneamente la intercara aislante-semiconductor y las propiedades dielectricas de la estructura. Los mejores resultados se obtienen para la combinacion ai/sin 1.5 (150a)/sin 1.55(50a)/inp y recociendo la estructura a 500º c durante 30s (dit 9.10 11 e v-1 cm-2 y anchura de barrido del nivel de fermi en el gap cercano a los 0,7 ev). en cuanto a la optimización del proceso de fabricacion de las estructuras misfet, se ha comprobado que e
Datos académicos de la tesis doctoral «Realizacion de transitores misfet sobre semiconductores compuestos del grupo iii-v«
- Título de la tesis: Realizacion de transitores misfet sobre semiconductores compuestos del grupo iii-v
- Autor: Estefania Redondo Romero
- Universidad: Complutense de Madrid
- Fecha de lectura de la tesis: 09/07/2001
Dirección y tribunal
- Director de la tesis
- German Gonzalez Diaz
- Tribunal
- Presidente del tribunal: Francisco Tirado fernández
- enrique Calleja pardo (vocal)
- elias Muñoz merino (vocal)
- enrique Iborra grau (vocal)