Tesis doctoral de Nieves Blanco Pestaña
Este trabajo de tesis doctoral tiene como objetivo la realización y caracterización de determinadas estructuras semiconductoras basadas en la aleación ternaria in0.53ga0.47as., con la finalidad de aplicarlas satisfactoriamente en el desarrollo de futuros transistores de unión y efecto de campo (jfet y misfet) en dicho material. en esta dirección, se ha obtenido un preciso y adecuado control del proceso de implantación de impurezas donoras, y de su posterior activación eléctrica, haciéndose especial hincapié en el fenómeno particular de las activaciones eléctricas mayores del 100%. estas capas implantadas han sido aplicadas satisfactoriamente en el desarrollo de uniones pn, en in0.53ga0.47as., Que han demostrado presentar un adecuado poder rectificante, y de las cuales se ha realizado un riguroso estudio sobre los mecanismos responsables de su conducción. por otro lado, se han desarrollado y caracterizado estructuras metal-aislante-semiconductor (a1/sinx:h/in0.53ga0.47as) con excelentes propiedad eléctricas, comparables a las obtenidas por otros procedimientos de depósito comparativamente mucho más complejos y costosos. Del estudio realizado en este trabajo se deduce la aplicabilidad de estas estructuras a dispositivos misfet en in0.53ga0.47as.
Datos académicos de la tesis doctoral «Realizacion y caracterizacion de dispositivos de union y de efecto de campo en in0.53ga0.47as.«
- Título de la tesis: Realizacion y caracterizacion de dispositivos de union y de efecto de campo en in0.53ga0.47as.
- Autor: Nieves Blanco Pestaña
- Universidad: Complutense de Madrid
- Fecha de lectura de la tesis: 01/01/1999
Dirección y tribunal
- Director de la tesis
- German Gonzalez Diaz
- Tribunal
- Presidente del tribunal: enrique Calleja pardo
- Luis Artus surroca (vocal)
- Martin pacheco Jaime Miguel (vocal)
- salvador Dueñas carazo (vocal)