Simulacion de los procesos movpe: modelado y estudio de los fenomenos basicos

Tesis doctoral de Alonso Alonso Alonso

Para poder estudiar y sistematizar fenomenos tan complejos como los de crecimiento epitaxial de semiconductores a partir de fase gaseosa (vpe), los procesos fundamentales que participan en el crecimiento del semiconductor se han dividido en: hidrodinamica, cinetica de las reacciones quimicas, que ocurren en la fase gaseosa o en la superficie del solido y la termodinamica. Se han recogido y adaptado las propiedades termodinamicas de las especies quimicas que, con alguna probabilidad, pueden tomar parte en los crecimientos movpe, para varios sistemas iii-v. Estos valores se han utilizado en los calculos termodinamicos con objeto de establecer la estabilidad relativa de las especies en un margen amplio de condiciones de operacion. el conocimiento de los mecanismos que determinan la incorporacion de los elementos iii-v en los materiales crecidos mediante movpe es aun limitado. En este trabajo se describe un modelo de composicion derivado de consideraciones termodinamicas que se aplica al gaas1-ypy y al inas1-ypy. se han estudiado las velocidades de crecimiento de semiconductores iii-v binarios y ternarios en los procesos movpe, en funcion de la posicion axial, para los reactores horizontales con seccion recta triangular, se ha construido un modelo que calcula la velocidad de crecimiento en sistemas que trabajan con flujo laminar. el crecimiento de peliculas epitaxiales delgadas mediante movpe requiere un buen conocimiento del comportamiento de los flujos dentro del reactor. Se ha desarrollado un modelo academico basado en la resolucion de las ecuaciones diferenciales de conservacion de la masa, energia y momento, empleando un procedimiento de diferencias finitas para dos dimensiones.

 

Datos académicos de la tesis doctoral «Simulacion de los procesos movpe: modelado y estudio de los fenomenos basicos«

  • Título de la tesis:  Simulacion de los procesos movpe: modelado y estudio de los fenomenos basicos
  • Autor:  Alonso Alonso Alonso
  • Universidad:  Politécnica de Madrid
  • Fecha de lectura de la tesis:  01/01/1993

 

Dirección y tribunal

  • Director de la tesis
    • Abril Domingo Evaristo Jose
  • Tribunal
    • Presidente del tribunal: Miguel Aguilar Fernandez
    • Miguel Lopez Coronado (vocal)
    • Juan Barbolla Sanchez (vocal)
    • Fraile Pelaez Francisco Javier (vocal)

 

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