Tesis doctoral de Pedro Cartujo Cassinello
En este trabajo se hace un estudio del transistor mos de doble puerta analizando las posibles ventajas de esta nueva estructura frene al transistor convencional y el transistor mos soi de puerta simple. Para ello se ha analizado una sección transversal de un transistor mos de doble puerta de canal n, con el fin de examinar detalladamente las peculiaridades de la distribución de electrones con una amplia variedad de valores de todos los parámentros tecnológicos y condiciones de operación, y se ha estudiado las propiedades de trasnporte en el canal. Para las obtención de la distribución de electrones, se ha resuelto autoconsistentemente las ecuaciones de poisson y schrí¶dinger en la estructura, dentro de las aproximaciones de hartree y de masa efectiva. Para el estudio de las propeidades de transporte se calculará la movilidad de los electrones mediante el método de monte carlo. los resultados de estas simulaciones se utilizarán también para verificar los efectos de los diferents parámetros tecnológicos en parámetros utilizados en modelos analíticos para la simulación de circuitos.
Datos académicos de la tesis doctoral «Simulacion y modelado de transistores mos de doble puerta.«
- Título de la tesis: Simulacion y modelado de transistores mos de doble puerta.
- Autor: Pedro Cartujo Cassinello
- Universidad: Granada
- Fecha de lectura de la tesis: 22/09/2000
Dirección y tribunal
- Director de la tesis
- Juan Antonio López Villanueva
- Tribunal
- Presidente del tribunal: Carceller beltran Juan enrique
- Juan Barbolla sanchez (vocal)
- Francisco Serra mestres (vocal)
- daniel Pardo collantes (vocal)