Tesis doctoral de Gallego Vazquez José M.
Mediante tecnicas de superficie (aes, leed, eels) se han analizado las interfases co/si y fe/si, asi como la formacion de los siliciuros de co e fe. Formados mediante la reaccion de epitaxia de fase solida. Asimismo, se ha logrado crecer siliciuros epitaxiales de co (cosi2, metalico) y fe ( -fesi2, semiconductor) sobre si(100), lo que abre camino a la posibilidad de crecer siliciuros ternarios (cox fe1-x si).
Datos académicos de la tesis doctoral «Una aproximacion al crecimiento epitaxial de siliciuros semiconductores y metalicos.«
- Título de la tesis: Una aproximacion al crecimiento epitaxial de siliciuros semiconductores y metalicos.
- Autor: Gallego Vazquez José M.
- Universidad: Autónoma de Madrid
- Fecha de lectura de la tesis: 01/01/1991
Dirección y tribunal
- Director de la tesis
- Rodolfo Miranda Soriano
- Tribunal
- Presidente del tribunal: Sebastian Vieira
- Federico Soria (vocal)
- Luis Vicent Jose (vocal)
- Emilio Morán Miguelez (vocal)