Simulacion numerica del transporte de carga en dispositivos semiconductores microelectronicos ultrarrapidos

Tesis doctoral de Castello Benavent Joaquin Jose

La tesis trata de la simulación numérica del modelo cinético semiclásico de los semiconductores, basado en el sistema de ecuaciones vlasov-poisson-boltzmann, usando el metodo de particulas ponderado. en ella, tras una justificación del uso del modelo cinético, basado en la presencia de portadores balísticos en los dispositivos semiconductores objeto del estudio, y de la descripción de este modelo para la geometria desarrolla el metodo de particulas ponderado aplicado al sistema de ecuaciones de vlasov-poisson-boltzmann. Tambien se muestran los algoritmos desarrollados para la implementación del calculo de los operadores de colisión, finalmente, se presentan los resultados numéricos obtenidos con la aplicación de nuestro código para la simulación de diversos tipos de dispositivos.

 

Datos académicos de la tesis doctoral «Simulacion numerica del transporte de carga en dispositivos semiconductores microelectronicos ultrarrapidos«

  • Título de la tesis:  Simulacion numerica del transporte de carga en dispositivos semiconductores microelectronicos ultrarrapidos
  • Autor:  Castello Benavent Joaquin Jose
  • Universidad:  Jaume i de castellón
  • Fecha de lectura de la tesis:  17/12/2001

 

Dirección y tribunal

  • Director de la tesis
    • Mustieles Moreno Francisco Jose
  • Tribunal
    • Presidente del tribunal: Carlos Conde lazaro
    • Marco castillo Francisco j. (vocal)
    • Cebrian de barrio Elena (vocal)
    • Fernando Olmos maldonado (vocal)

 

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