Un metodo de difusion artificial para la simulacion de dispositivos semiconductores

Tesis doctoral de Ultano Kindelan Bustelo

En la tesis se propone un nuevo metodo de difusion artificial para la resolucion del sistema de ecuaciones en derivadas parciales que representa el comportamiento de un semiconductor en estado estacionario. El metodo consiste en añadir a dos de las ecuaciones del sistema, terminos difusivos provenientes de la discretizacion del problema transitorio a lo largo de las curvas caracteristicas. Despues de formular el sistema con estos nuevos terminos, se compara su estabilidad con la del sistema inicial, para estudiar en que situaciones es rentable aplicar el metodo. para la obtencion de resultados numericos que validen la comparacion teorica anterior se aproxima la no linealidad del sistema mediante un metodo iterativo de punto fijo. el problema variacional que aparece en cada paso de la iteracion del metodo anterior, es aproximado con elementos finitos p1. Los algoritmos de la aproximacion numerica obtenida se programan en el codigo semicon realizado en fortran. Se concluye la tesis presentando los resultados obtenidos al resolver dos problemas test.

 

Datos académicos de la tesis doctoral «Un metodo de difusion artificial para la simulacion de dispositivos semiconductores«

  • Título de la tesis:  Un metodo de difusion artificial para la simulacion de dispositivos semiconductores
  • Autor:  Ultano Kindelan Bustelo
  • Universidad:  Politécnica de Madrid
  • Fecha de lectura de la tesis:  01/01/1993

 

Dirección y tribunal

  • Director de la tesis
    • Vicente Cuenca Santiago De
  • Tribunal
    • Presidente del tribunal: Carlos Conde Lazaro
    • Rafael Alejandro Montenegro Armas (vocal)
    • Eugenio Oñate Ibáñez De Navarra (vocal)
    • Mustieles Moreno Fco. José (vocal)

 

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