Optical properties of nitride semiconductor structures

Tesis doctoral de Snezana Lazic

Mediante espectroscopía raman resonante se ha observado modos locales de vibración en capas gruesas de aigaasn con distintas concentraciones de nitrógeno. Estos modos están asociados a la formación preferente de enlaces ai-n por encima de su abundancia estadística. Además, se han realizado medidas de espectroscopía raman resonante en multipozos cuánticos de ingan, tanto relajados como pseudomórficos. La concentración media de in y su rango fluctuación en pozos relajados han sido determinados independientemente a partir de la energía del máximo del perfil de resonancia raman del fonón a1(lo), obteniéndose buen acuerdo con los datos de variación de la frecuencia del fonón con la energía de excitación. En continuación, mediante espectroscopía micro-raman se han caracterizado nanocolumnas de inn y gan de diferentes tamaños. La comparación de espectros raman de muestras de inn nanocolumnares y compactas han permitido detectar la presencia de una capa de acumulación de electrones en las superficies laterales (no polares) de las nanocolumnas. Esta capa de acumulación, que hasta ahora se ha observado solamente en las superficies polares del inn, se atribuye a la formación de una capa superficial rica en in en las superficies laterales de las nanocolumnas.

 

Datos académicos de la tesis doctoral «Optical properties of nitride semiconductor structures«

  • Título de la tesis:  Optical properties of nitride semiconductor structures
  • Autor:  Snezana Lazic
  • Universidad:  Autónoma de Madrid
  • Fecha de lectura de la tesis:  27/03/2008

 

Dirección y tribunal

  • Director de la tesis
    • José Manuel Calleja Pardo
  • Tribunal
    • Presidente del tribunal: Luis Víña liste
    • Andrés Cantarero sáez (vocal)
    • enrique Calleja pardo (vocal)
    • achim Trampert (vocal)

 

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