Tesis doctoral de Iñigo Gutierrez Garcia
A causa de la proliferación de los sistemas móviles de comunicación, la industria de la integración de circuitos en silicio ha experimentado grandes avances en los últimos años. En particular, la implementación de componentes pasivos integrados de alta calidad, es actualmente uno de los puntos clave para la mejora de dichos circuitos. el objetivo fundamental de este trabajo de investigación consiste en mejorar las prestaciones de los varactores integrados para aplicaciones de rf, en tecnologías de bajo precio (cmos, bicmos y sige). Para ello es necesario diseñar, fabricar y medir varactores que demuestren dicha mejora. De esta forma se han implementado unas técnicas de de-embredding para el caso particular de varactores integrados y se ha realizado un sistema de caracterización de los mismos. se han diseñado diversos tipos de varactores integrados, basados en la unión pn y basados en los transistores mos, resaltando sus ventajas e inconvenientes. a partir de los resultados de la caracterización de los varactores diseñados, y debido a la mejora de prestaciones de los mismos, se ha elaborado una librería de varactores de alta calidad para la fundidora austriamicrosystems (ams) susceptible de ser incorporada a su hit-kit de pasivos. Además, a partir del estudio exhaustivo de cada tipo de varactor que ha permitido este trabajo, se han realizado unas guías de diseño de los diversos tipos de varactores integrados. El conocimiento en profundidad de los principios que rigen la física de los varactores integrados se ha traducido en una mejora de los modelos de dichos dispositivos. Por lo tanto, se han elaborado modelos en banda ancha de las configuraciones estudiadas de varactores integrados. Son modelos válidos en un ancho de banda de más de 5 ghz que permiten utilizar los varactores en aplicaciones multi-estandar, facilitando el trabajo a los ingenieros de rf. Además, sus parámetros tienen un significado dependiente
Datos académicos de la tesis doctoral «Varactores integrados de alto factor de calidad en tecnología estándar 0,8 um sige para aplicaciones en rf«
- Título de la tesis: Varactores integrados de alto factor de calidad en tecnología estándar 0,8 um sige para aplicaciones en rf
- Autor: Iñigo Gutierrez Garcia
- Universidad: Navarra
- Fecha de lectura de la tesis: 09/07/2004
Dirección y tribunal
- Director de la tesis
- Nó Lengaran Joaquin De
- Tribunal
- Presidente del tribunal: manuel Fuentes pérez
- Antonio Lloris ruiz (vocal)
- enrique Masgrau gomez (vocal)
- Javieragustín García García (vocal)