Tesis doctoral de Fernando Bernabé Naranjo Vega
Teniendo en cuenta la energía del gap de los binarios que forman el ternario ingan (gan, 3.4 ev; inv, 0.9 ev), es fácil ver que con este material se puede abarcar todo el espectro visible. El objetivo de esta tesis es estudiar el crecimiento por mbe y las propiedades del ingan, con la finalidad de fabricar un diodo electroluminiscente eficiente con capa activa compuesta por pozos cuánticos de ingan con barreras de gan. La fabricación del led conlleva también el estudio del dopaje tipo p en el gan, empleando magnesio. el crecimiento de capas gruesas de ingan se ha estudiado como paso previo al de pozos cuánticos. Se ha determinado una temperatura de inicio de evaporación del indio de la superficie de crecimiento en torno a 560ºc, obteniéndose las mejores capas para temperaturas de substrato ligeramente superiores a ésta y con relación iii/v ligeramente superior a la unidad. En el apartado óptico, se ha observado que la amplitud de las fluctuaciones locales en el contenido de indio en las muestras aumenta cuando se incrementa el contenido promedio de éste. en el crecimiento de pozos cuánticos de ingan con barreras de gan, se obtienen los mejores resultados cuando se mantiene fijo el flujo de galio durante pozo y barrera y se favorece la formación de una capa de indio segregada a la superficie durante el crecimiento del pozo. A partir de las propiedades de la emisión en cada caso se establece un mayor dominio sobre la energía de la misma de los campos piezoeléctricos en pozos de espesor mayor de 4 mm y de las fluctuaciones de indio en pozos en éste menor de 3 mm. con la técnica de crecimiento de pozos cuánticos desarrollada, y empleando cinco pozos de inxga(1-x)n( 2 nm)/gan ( 5 nm) como capa activa, se han crecido y fabricado dispositivos emitiendo desde el ultravioleta cercano (3.4 ev) hasta el verde (2.4 ev) variando el contenido de indio de los pozos desde 0% hasta 25% de indio. Como método de mejora de los dispo
Datos académicos de la tesis doctoral «Crecimiento, fabricación y caracterización de diodos electroluminiscentes basados en pozos cuánticos de ingan«
- Título de la tesis: Crecimiento, fabricación y caracterización de diodos electroluminiscentes basados en pozos cuánticos de ingan
- Autor: Fernando Bernabé Naranjo Vega
- Universidad: Politécnica de Madrid
- Fecha de lectura de la tesis: 06/10/2003
Dirección y tribunal
- Director de la tesis
- Enrique Calleja Pardo
- Tribunal
- Presidente del tribunal: elías Muñoz merino
- Ruiz y ruiz de gopegui Ana (vocal)
- José Manuel Calleja pardo (vocal)
- jean Massies (vocal)