Tesis doctoral de Ana Jiménez Martín
Los semiconductores de nitruro de galio (gan) y sus aleaciones (algan, ingan) han surgido en la última década como uno de los materiales más prometedores en el campo de los transistores de efecto campo para aplicaciones de alta potencia y alta temperatura. Su principal atractivo radica en la anchura del gap (gan 3.4 ev), que le confiere una gran estabilidad térmica y tensión de ruptura (3mv/cm). A pesar de los valores récord obtenidos en transistores de efecto campo basados en algan/gan, éstos distan mucho aún de los predichos mediante cálculos teóricos. Dos son las razones principales de esta discrepancia, por un lado la calidad del material, y por otro lado, la poca madurez que presenta el procesado tecnológico de fabricación de dispositivos. el principal objetivo de esta tesis ha sido el crecimiento de nitruros del grup iii (gan y alxga1-xn/gan) por epitaxia de haces moleculares (mbe) asistido por plasma de nitrógeno, utilizando capas de gan sobre zafiro crecidas por movpe como substratos (definidos como pseudosubtratos). Una de las principales dificultades encontradas en la optimización del crecimiento ha sido la reproducibilidad de las condiciones de crecimiento ya que la ventana óptima de temperaturas es muy estrecha (de unos 15ºc). Para conseguir dicha optimización, se ha utilizado una serie de técnicas de caracterización (estructurales, ópticas y eléctricas) que confirman la calidad del material. de estos resultados también se desprende que la calidad cristalina de la capa epitaxiada, así como una tensión biaxial comprensiva residual, es una herencia del pseudosubtrato utilizado. Todo ello demuestra la gran capacidad del sistema de mbe para el crecimiento quasi-homoepitaxial. la caracterización eléctrica de las heteroestructuras de algan/gan han confirmado la presencia de una canal de electrones bidimensional (2deg) en la interfase, obteniéndose movilidades hall de hasta 1021 y 3572 cm2/vs a 300k y 77
Datos académicos de la tesis doctoral «Crecimiento y fabricación de transistores hemt de algan/gan por epitaxia de haces moleculares«
- Título de la tesis: Crecimiento y fabricación de transistores hemt de algan/gan por epitaxia de haces moleculares
- Autor: Ana Jiménez Martín
- Universidad: Politécnica de Madrid
- Fecha de lectura de la tesis: 10/10/2003
Dirección y tribunal
- Director de la tesis
- Enrique Calleja Pardo
- Tribunal
- Presidente del tribunal: elías Muñoz merino
- klaus Ploog (vocal)
- zahia Bougrioua (vocal)
- Rojo alaminos Juan m. (vocal)