Tesis doctoral de Tirado Martin José María
Los dispositivos basados en compuestos iii-v, concretamente el gan, presentan una serie de deficiencias en su rendimiento, atribuidas a diferentes factores. El estudio de la superficie de los mismos es una pieza clave para el entendimiento de estas deficiencias, y es a través de esta tesis donde se intenta dar cierta luz a algunos problemas que aparecen en la misma. En este trabajo es analizada la caracterización electrica, en dc y baja frecuencia, de dispositivos de alta movilidad de electrones (hemt) de algan/gan, discutiendo los efectos observados. Se implementa un modelo fisico bidimensional de dispositivos mesfet de gan y hemt de algan/gan, analizando y discutiendo la presencia de estados estáticos y dinámicos en las superficies de los dispositivos, realizando una comparación entre resultados teóricos y experimentales obtenidos a través de las pruebas de laboratorio
Datos académicos de la tesis doctoral «Efectos de dispersion en transistores de efecto campo basados en compuestos iii-v: estudio, caracterización y modelado«
- Título de la tesis: Efectos de dispersion en transistores de efecto campo basados en compuestos iii-v: estudio, caracterización y modelado
- Autor: Tirado Martin José María
- Universidad: Castilla-la mancha
- Fecha de lectura de la tesis: 01/12/2006
Dirección y tribunal
- Director de la tesis
- Sanchez De Rojas Aldavero José Luis
- Tribunal
- Presidente del tribunal: fernando González sanz
- Fernandez de avila susana (vocal)
- Anton molina oscar Alberto (vocal)
- Garcia tijero José Manuel (vocal)