Tesis doctoral de Yi Zong
En esta memoria, se han presentado las características electrónicas de diferentes dispositivos en tecnología cmos (switcher analógicos, circuitos de supervisión, amplificadores de aislamiento y conversores analógico-digitales), incluyendo las de los dispositivos discretos sometidos a radiación baja de neutrones y gamma residual (5×10 12 -10 14 n.Cm-2 y 0.2-2-kgy (si)). los experimentos de radicación se realizaron en una fuente de neutrones especialmente dedicada. Para ello, se diseñó un sistema automático de caracterización, que fue optimizado para realizar un seguimiento exhaustivo de los parámetros durante el proceso de irradiación. En la mayor parte de los casos, los datos experimentales concordaban con las predicciones teóricas realizadas previamente. los resultados muestran que el daño principal a los dispositivos irradiados en la tid. Los efectos del la tid se atribuyen a la energía depositada en los dispositivos pro al radiación en forma de ionización. Por lo tanto, se han observado unas modificaciones en los parámetros electrónicos de los diferentes dispositivas. Las causas más importantes de la degradación son la modificación de tensión umbral y la aparición de corriente de fuga inducidas por la tid.
Datos académicos de la tesis doctoral «Características electronicas de diferentes dispositivos sometidos a radiación baja de neutrones y gamma«
- Título de la tesis: Características electronicas de diferentes dispositivos sometidos a radiación baja de neutrones y gamma
- Autor: Yi Zong
- Universidad: Complutense de Madrid
- Fecha de lectura de la tesis: 27/10/2006
Dirección y tribunal
- Director de la tesis
- Juan Andrés De Agapito Serrano
- Tribunal
- Presidente del tribunal: Antonio Hernandez cachero
- Fernandez marron jos eLuis (vocal)
- Francisco Javier López aligué (vocal)
- Gutierrez conde pedro m. (vocal)