Caracterización a escala nanométrica de la degradación y ruptura dieléctrica del sio2 en dispositivos mos mediante c-afm

Tesis doctoral de Marc Porti Pujal

En esta tesis se ha utilizado la microscopía de fuerzas atómicas (afm) con punta conductora (c-afm) con la finalidad de estudiar la ruptura dieléctrica (bd) de capas delgadas asociadas a la generación de defectos) a escala nanomérica, pues es la escala en la que estos fenómenos tienen lugar (se estima que la ruptura se desencadena en área de 10-13 -10-12 cm2). la elevada resolución del c-afm (-10nm) permite analizar el evento bd con muchos más detalle que las técnicas de caracterización eléctrica estándar utilizadas hasta ahora. en cuanto a la etapa de pre-ruptura, se ha demostrado la capacidad de la técnica utilizada para evaluar los mecanismos físicos asociados a la degradación del óxido. En particular, se han observado fluctuaciones de corriente y conmutaciones entre estados de conductividad bien definida, que se han asociado a la captura/emisión de electrones en los defectos generados durante el estrés eléctrico, y que corresponden al ruido de pre-ruptura que precede al evento bd. También se ha demostrado la capacidad del c-afm de obtener la característica i-v de dichos spots de pre-ruptura fluctuantes, lo cual permitirá analizar con más detalle el origen de la corriente de fugas que limita la fiabilidad de algunos dispositivos electrónicos como, por ejemplo, las memorias flash. también se ha analizado la ruptura propiamente dicha (cuando se induce con la punta del c-afm) y el efecto del límite de corriente en el evento bd, pues recientemente se ha demostrado que los distintos modos de fallo que aparecen en óxidos muy delgados (ruptura suave, sbd; ruptura progresiva,, pbd; y corriente de fugas, silc, menos severos que la ruptura fuerte, hbd), pueden no dar lugar al fallo del dispositivo o circuito del cual forman parte. en particular, se ha analizado la conductividad de post-ruptura, la propagación del evento bd y el daño estructural inducido en el óxido. Se ha demostrado que cuando el óxido se

 

Datos académicos de la tesis doctoral «Caracterización a escala nanométrica de la degradación y ruptura dieléctrica del sio2 en dispositivos mos mediante c-afm«

  • Título de la tesis:  Caracterización a escala nanométrica de la degradación y ruptura dieléctrica del sio2 en dispositivos mos mediante c-afm
  • Autor:  Marc Porti Pujal
  • Universidad:  Autónoma de barcelona
  • Fecha de lectura de la tesis:  04/04/2003

 

Dirección y tribunal

  • Director de la tesis
    • Aymerich Humet Francisco Javier
  • Tribunal
    • Presidente del tribunal: Francisco Serra mestres
    • jaume Esteve tintó (vocal)
    • Carceller beltrán Juan enrique (vocal)
    • francesca Campabadal segura (vocal)

 

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