Crecimiento de heteroestructuras de (galn) (aspn) por epitaxia de haces químicos

Tesis doctoral de Daniel Ghita

Datos académicos de la tesis doctoral «Crecimiento de heteroestructuras de (galn) (aspn) por epitaxia de haces químicos«

• Título de la tesis:  Crecimiento de heteroestructuras de (galn) (aspn) por epitaxia de haces químicos
• Autor:  Daniel Ghita
• Universidad:  Autónoma de Madrid
• Fecha de lectura de la tesis:  06/09/2011

Dirección y tribunal

• Director de la tesis
  • basilio javier Garcia carretero
• Tribunal
  • Presidente del tribunal:
  • (vocal)
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