Tesis doctoral de Alfonso Gómez Bravo
Estudio de materiales, dieléctricos de alta permitividad, como posibles candidatos para sustituir el dióxido de silicio como aislante de puerta de los transistores en las futuras generaciones de circuitos integrados cmos. En particular, principalmente por medio de la caracterización eléctrica de películas delgadas de dichos materiales fabricados bajo diferentes condiciones de fabricación. adicionalmente, se presenta una nueva técnica de caracterización eléctrica, desarrollada y comprobada satisfactoriamente de manera experimental, basada en los transitorios de tensión de banda plana que da cuenta del comportamiento intrínseco de los dieléctricos de alta permitividad.
Datos académicos de la tesis doctoral «Caracterización de dieléctricos de alta permitividad para su aplicación en técnologías nanométricas«
- Título de la tesis: Caracterización de dieléctricos de alta permitividad para su aplicación en técnologías nanométricas
- Autor: Alfonso Gómez Bravo
- Universidad: Valladolid
- Fecha de lectura de la tesis: 20/05/2011
Dirección y tribunal
- Director de la tesis
- Mª Elena Castan Lanaspa
- Tribunal
- Presidente del tribunal: Luis alberto Bailon vega
- ignacio Mártil de la plaza (vocal)
- Juan Antonio López villanueva (vocal)
- francesca Campabadal segura (vocal)